直接遷移の半導体では、
電子と
ホールの
再結合において光が発生する。間接遷移の半導体では、光の発生は生じない、もしくは、非常に弱い発光となる。これは、光の
発光、
吸収の過程において
エネルギー保存則と
運動量保存則の両者の成立が必要であるためである。間接遷移の場合、
伝導帯の底にいる電子が
価電子帯の頂上にあるホール(伝導帯の下端とは異なるk点上にある)と再結合(
遷移)するためには、何らかの運動量が必要となる。光子はこの運動量差と比較して非常に小さい運動量しか持たないため、光子だけでの遷移はできない。通常、光子の代わりに
格子振動の励起(
フォノンの吸収や放出)が生じる。